Projekte: Schweden
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Schwedens. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Vertrauenswürdige europäische SiC-Lieferkette für energieeffiziente Leistungselektronik - TRANSFORM -
Im Teilvorhaben des Verbundprojekts TRANSFORM werden neue Methoden und Anwendungen zu simulationsbasierter Auslegung und Optimierung entwickelt. Die Simulationsmethoden beinhalten dabei insbesondere numerische Strömungsmechanik (Computational Fluid…
Verbundprojekt: Vertrauenswürdige europäische SiC-Lieferkette für energieeffiziente Leistungselektronik - TRANSFORM -
Das Teilvorhaben ist Bestandteil des übergeordneten EU/H2020/ECSEL-Verbundvorhabens TRANSFORM - Trusted European SiC Value Chain for a greener Economy (ME2ECS20101). Das Ziel von TRANSFORM ist der Aufbau einer vollständigen und äußerst…
Verbundprojekt: Fußgängerfreundliche Quartiere - Freisetzung von Potenzialen für nachhaltige und aktive Mobilität durch Verbesserung des Fußverkehrs und seiner Verbindungen mit dem öffentlichen Verkehr. Teilprojekt: WalkUrban-Koordination und…
WalkUrban zielt darauf, zu einem besseren Verständnis rund um das Zufußgehen zu gelangen, fördernde bzw. behindernde Faktoren zu identifizieren und somit das Konzept der "Walkability", also der umfassenden Fußgängerfreundlichkeit zu erweitern. Dabei…
Verbundprojekt: Konzeption, Umsetzung und Proof-of-Concept-Anwendung von digitalen Diensten zum situationsbezogenem Nudging für ein nachhaltiges Mobilitätsverhalten
Die Reduktion des motorisierten Individualverkehrs zugunsten nachhaltiger Verkehrsmodi ist eine zentrale Herausforderung für die klima-, umwelt- gesundheitsgerechte Gestaltung der urbanen Räume. Digitales und situationsbezogenes Nudging ist dabei ein…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
YESvGaN entwickelt hocheffiziente, neuartige Galliumnitrid-basierte vertikale Leistungstransistoren (sog. Membrantransistoren) zu vergleichbaren Kosten wie aktuelle Silizium IGBTs. Dadurch werden neue preissensitive Anwendungen für Wide-Band-Gap…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Das Hauptziel von YESvGaN ist die Erforschung innovativer, vertikaler Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren, die auf einem kostengünstigen Substrat wie Silizium hergestellt werden. Diese sogenannte vertikale Membranarchitektur kombiniert die…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Das FBH erforscht und entwickelt im Projekt YESvGaN vertikal orientierte Gallium Nitrid FinFETs auf unterschiedlichen Trägersubstraten. Die vertikalen FinFETs kommen in der Epitaxiestruktur ohne pn-Übergang aus und bestehen aus einer Vielzahl von…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Um den aktuell von Si-IGBTs dominierten Bereich für WBG Leistungstransistoren zu erschließen und deren herausragendes Potential nutzbar zu machen, wird YESvGaN einen neuen Transistortyp entwickeln, der die Vorteile niedriger Substratkosten mit den…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit di-versen…
