Q-SiC - Raumtemperaturtaugliche SiCOI-basierte Einzelphotonenquellen Plattform für Quantum Telekommunikation und Sensorik - Teilvorhaben: Silizium Karbid basierte Quantum Plattform

In diesem beantragten Projekt Q-SiC werden Vorarbeiten geleistet und wissenschaftlich notwendige Aktivitäten durchgeführt, um ein internationales Konsortium/Netzwerk zu bilden und zwar mit dem Ziel, einen gemeinsamen EU-Forschungsantrag auf das Thema "Quantum Photonische Intergierte Schaltung" – Pfeiler 2/Cluster "Digitalisierung, Industrie und Raumfahrt" zu generieren und erfolgreich durchzuführen. Geplant sind ein oder zwei Anträge in den zwei Ausschreibungen - HORIZON-CL4-2022-DIGITAL-EMERGING-01-16 und HORIZON-CL4-2022-DIGITAL-EMERGING-01-03. Das Projekt (Q-SiC) zielt darauf ab, eine wirklich "praktische" SPS-Lösung bereitzustellen, indem die Punktdefekte in Siliziumkarbid und eine optische Kavität mit hohem Qualitätsfaktor kombiniert werden. Mit dieser Plattformtechnologie aus Siliziumkarbid auf Isolator (SiCOI) (ähnlich wie bei CMOS) können die Vorteile einer CMOS-kompatiblen, ausgereiften Kristallwachstums- und der Wafer-Verarbeitungstechnologien ausgenutzt werden. Es wird angestrebt, eine praktische und skalierbare Lösung für Raumtemperatur und verschiedene Wellenlängen (das biologische und Telekomfenster) zu realisieren und TRL 3 zu erreichen. Die Plattform kann sowohl in Quantum Kommunikation (Telekomfenster 1250nm-1600nm) als auch in Quantum Sensorik (650nm-1250nm) eingesetzt werden.