Die im Verbundvorhaben zu entwickelnden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Ziel ist die Erforschung der nächsten BiCMOS-Technologieplattform. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe-HBTs (Heteteroübergang-Bipolartransistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. Das Arbeitsziel des Teilvorhabens der Universität Stuttgart ist die Erforschung, der Entwurf und die prototypische Demonstration eines extrem breitbandigen (analoge Eingangsbandbreite 60 GHz) und schnellen (Umsetzungsrate 120 GS/s) analogen Vorschalt-ICs für A/D-Umsetzer. Das Vorschalt-IC wird in SiGe-Bipolartechnologie ausgeführt und wird einen einzigen sehr breitbandigen und schnellen Vollraten-Eingang und mehrere langsamere Teilraten-Ausgängen aufweisen. Das Anwendungsziel des Teilvorhabens sind extrem breitbandige und schnelle Analog-Digital-Umsetzersysteme für die optische Datenübertragung mit Datenraten von 1 Tbit/s pro Wellenlängenkanal und mehr.
Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: Breitbandiges analoges Vorschalt-IC für A/D-Umsetzersysteme in SiGe-HBT-Technologie
Laufzeit:
01.04.2017
- 28.02.2021
Förderkennzeichen: 16ESE0210
Koordinator: Universität Stuttgart - Fakultät 5 Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik - Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik INT
Verbund:
Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Frankreich
Griechenland
Italien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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