Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO -; Teilvorhaben: Mikroskopische Simulation von SiGe-HBTs

Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Ziel ist die Erforschung der nächsten BiCMOS Technologieplattform. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe HBTs (Heteterojunction Bipolar Transistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. Im Beitrag der RWTH soll durch Vergleich von Simulation und Messung von SiGe-HBTs das mikroskopische Simulationsmodell verifiziert werden. Darauf aufbauend sollen Diskrepanzen zwischen Simulation und Messung, die in der Vergangenheit bei den schnellsten SiGe-HBTs auftraten, untersucht und erklärt werden. Insbesondere der Einfluss prozessbedingter Verspannungen soll untersucht werden. Vergleiche von Messungen und Simulationen sollen auch als Benchmarks und zur Verbesserung klassischer Modelle dienen, die für den Entwurf und die Optimierung der SiGe-HBTs benötigt werden.