Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Ziel ist die Erforschung der nächsten BiCMOS Technologieplattform. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe HBTs (Heteterojunction Bipolartransistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. In diesem Teilprojekt werden die in den SiGe HBTs auftretenden physikalischen Effekte mithilfe von numerischer Bauelementesimulation (TCAD) und Messungen bis zu 325 GHz untersucht. Die Erkenntnisse werden in ein nichtlineares physikalisches Kompaktmodell umgesetzt. Dessen Implementierung in einem Schaltungssimulator und die Anwendung neuer Methoden zur Modellparameterbestimmung ermöglicht allen Projektpartnern den Entwurf von integrierten mm-Wellenschaltungen. Zur Modellverifikation und kostengünstigen On-Wafer Messung oberhalb von 220 GHz werden Schaltungen entworfen.
Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: Modellierung von 600/700 GHz SiGeC HBTs und experimentelle Verifikation auf der Bauelemente- und Schaltungsebene
Laufzeit:
01.04.2017
- 28.02.2021
Förderkennzeichen: 16ESE0208S
Koordinator: Technische Universität Dresden - Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik - Institut für Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
Verbund:
Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Frankreich
Griechenland
Italien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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