Das Projekt Pin3S soll in Kooperation führender europäischer Firmen und Institutionen die Integration der Prozesstechnologie für den 3-nm-Knoten der Halbleiterfertigung entwickeln. Die Innovationen in Pin3S werden die weltweit führende Rolle der Europäischen Halbleiterfertigungstechnologie und das damit verbundenen ökonomischen Wachstum sicherstellen. Eine wesentliche Rolle spielt hierbei das Konzept deformierbarer Spiegel, die eine Wellenfrontkorrektur und damit eine Verbesserung der Abbildungsqualität ermöglichen sollen. FEP hat innerhalb dieses Konzeptes mit der Entwicklung von piezoelektrischem Schichten und von Verfahren zu deren Abscheidung eine zentrale Aufgabe.
Verbundprojekt: Pilotlinie für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - PIN3S -; Teilvorhaben: Piezoelektrische Dünnschichten zur Aktuierung deformierbarer Spiegel
Laufzeit:
01.10.2019
- 30.04.2023
Förderkennzeichen: 16ESE0380S
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik (FEP)
Verbund:
Pilotlinie für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Belgien
Frankreich
Israel
Niederlande
Rumänien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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