Das übergeordnete Ziel des 14AMI-Projekts ist es, eine kostengünstige und nachhaltige Fertigungslösung für 14 Angstrom-Technologieknoten zu liefern, einschließlich eines voll integrierten, funktionalen komplementären Feldeffekttransistors (CFET) und modernsten ganzheitlichen Messtechniken für Wafer und Masken. So soll die Fortschreibung des Mooreschen Gesetz gewährleistet werden. Moderne extreme-ultraviolett (EUV)-Anlagen sind hochkomplexe, teure Anlagen. Um diese wirtschaftlich betreiben zu können, müssen diese möglichst lange Lebensdauern bei maximalem Durchsatz aufweisen. Durch die derzeit eingesetzten, für das Erreichen der EUV-Wellenlängen notwendigen, Plasmaquellen ist die Lebensdauer der derzeitigen optischen Apparaturen stark eingeschränkt. Noch sind die komplexen Degradationsmechanismen wissenschaftlich nicht vollständig aufgeklärt, was technologische Maßnahmen zur Erhöhung der Lebensdauer der eingesetzten Optiken erschwert. Im Teilvorhaben "Modellierung von Plasma-Material Wechselwirkungen" werden Themen erforscht, die mit der beobachteten reduzierten Lebensdauer der eingesetzten EUV-Optiken in Verbindung stehen. Dieses Teilvorhaben schafft somit die wissenschaftliche Basis, um im Verbundvorhaben Lebensdauerlösungen für die Optiken zu entwickeln.
Verbundprojekt: Modulentwicklung für die 14 Angstrom Lithographie in der Chip-Produktion - 14AMI -
Laufzeit:
01.05.2023
- 30.04.2026
Förderkennzeichen: 16MEE0366
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Werkstoffmechanik (IWM)
Verbund:
Modulentwicklung für die 14 Angstrom Lithographie in der Chip-Produktion
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Frankreich
Israel
Niederlande
Rumänien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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