StartseiteLänderEuropaEuropa: Weitere LänderVerbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -

Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -

Laufzeit: 01.06.2024 - 31.05.2027 Förderkennzeichen: 16MEE0397
Koordinator: AdMOS GmbH Advanced Modeling Solutions

Die Unterstützung von InP / InPoSi Transistoren (HBTs und HEMTs) für Designgruppen durch Simulationsbibliotheken mit einer genauen Darstellung des elektrischen und thermischen Verhaltens dieser Bauelemente ist derzeit sehr begrenzt. Es besteht ein großer Bedarf an Technologien und Anwendungen: • Kommerziell und industriell verfügbare Simulationsmodelle, die das elektrische und thermische Verhalten von InP- und InPoSi-Bauelementen darstellen. • Standardisierte Formulierung der Modelle, um sie in verschiedenen Umgebungen verwenden zu können. • Integration von InP-Simulationskomponenten für HBTs und HEMTs in die sehr fortschrittlichen Process Design Kits (PDK) für moderne CMOS-Prozesse. • Erweiterung der reinen Simulationsmodelle, um alle Aspekte moderner PDKs wie Variabilität und layoutabhängige Effekte (LDE) abzudecken.

Verbund: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Belgien Schweiz Frankreich Litauen Niederlande Schweden Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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