StartseiteLänderEuropaFrankreichVerbundprojekt: Elektronikmodule für zukünftige Mobilfunkgenerationen - REFERENCE -; Teilvorhaben: Entwicklung eines digitalen holografischen Interferometers zur Vermessung von kristallinen Gleitliniendefekten und der Ebenheit von SOI-Wafern

Verbundprojekt: Elektronikmodule für zukünftige Mobilfunkgenerationen - REFERENCE -; Teilvorhaben: Entwicklung eines digitalen holografischen Interferometers zur Vermessung von kristallinen Gleitliniendefekten und der Ebenheit von SOI-Wafern

Laufzeit: 01.06.2016 - 30.11.2019 Förderkennzeichen: 16ESE0118
Koordinator: sentronics metrology GmbH

Sentronics metrology erarbeitet im Rahmen des REFERENCE-Projektes ein Messsystem, wel-ches kristalline Gleitlinien-Defekte (Slip Lines) an der Oberfläche von SOI-Wafern vollständig vermessen kann und diese Messung mit einer Ebenheitsmessung des SOI-Wafers nach SEMI M49-1014 verbindet. Das Messsystem wird als Demonstrator im Rahmen des Projektes für Qualitätsmessungen an den Demo-Wafern zur Verfügung stehen und damit die Entwicklungs-prozesse von Soitec und Siltronic im Rahmen des Forschungsvorhabens unterstützen. a)Spezifikation der Technischen Anforderungen TRS an das digitale, holografische Interferometer, die automatische Parametrierung des holografischen Interferometers, die Rekonstruktionsalgorithmen, die Auswertesoftware und die finale Maschine. b)Entwicklung des digitalen, holografischen Interferometers für die Anwendung Gleitli-nien- und Ebenheits-Vermessung c)Anpassung der Rekonstruktions-Algorithmen an die Messaufgaben und Entwicklung der automatischen Parametrierung des Interferometers für eine Inline-Vermessung d)Integration des digitalen, holografischen Sensors in die Mess-Software sentronics s+ von sentronics metrology e)Entwicklung des Work-Flows und der Auswerte-Algorithmen für die Vermessung der Gleitlinien-Defekte in sentronics s+ f)Entwicklung des Work-Flows und der Auswerte-Algorithmen für die Vermessung der Ebenheit der polierten Wafer in sentronics s+ g)Entwicklung des elektrischen, optischen und mechanischen Aufbaus der Messgerätes h)Entwicklung einer Vorrichtung zur eigenspannungsfreien Aufnahme des Wafers im Messgerät i)Verifikation der vorgenannten Entwicklungsschritte j)Optimierung der Entwicklungsschritte mit 2 Iterationen k)Validierung der Entwicklung und Durchführung der Versuche an SOI-Wafern mit Soitec und CEA-LETI.

Verbund: Elektronikmodule für zukünftige Mobilfunkgenerationen Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Belgien Frankreich Irland Portugal Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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