StartseiteLänderEuropaFrankreichVerbundprojekt: Energiesparende Sensorik für das autonome Fahren und Fliegen - OCEAN12 -; Teilvorhaben: Differentielle Zweikanal-Reflektionsmikroskopie für FDSOI

Verbundprojekt: Energiesparende Sensorik für das autonome Fahren und Fliegen - OCEAN12 -; Teilvorhaben: Differentielle Zweikanal-Reflektionsmikroskopie für FDSOI

Laufzeit: 01.07.2018 - 30.09.2022 Förderkennzeichen: 16ESE0271S
Koordinator: Unity Semiconductor GmbH

OCEAN12 konzentriert sich auf die Weiterentwicklung der FDX-Technologie in Dresden und entwickelt zusätzlich eine Pilotlinie bei Soitec. Ziel ist, qualitativ hochwertige SOI-Substrate bereitzustellen, um eine hohe Ausbeute und Leistung für 22FD, Next Gen 22FD, 12FD-Knoten und darüber hinausgehende Schaltungen zu ermöglichen. Darüber hinaus werden fortgeschrittene Charakterisierungstechniken für FDX durchgeführt, um sowohl die Ausbeute bei der Herstellung als auch die HF-Leistungseigenschaften zu verbessern. OCEAN12 zielt darauf ab, 22FDX-Chips in den autonomen Fahr- und Fluganwendungen zu etablieren, indem verschiedene Arten von Umweltdatenerfassungsgeräten (Radar, Bewegungssensoren) mit Dauerfunktionalität und Prozessoren entwickelt werden, die auf den FDSOI-Plattformen aufbauen und vorteilhafte Leistungsmerkmale für Low-Power-Anwendungen bieten. Die ersten Entwicklungsschritte mit 12FDX als fortschrittliche Designplattform für Analog- und Mixed-Signal-IP für Digital Intensive SoC/HPC-Applikationen werden mit französischen Partnern evaluiert. Um die Vorzüge der FDSOI Technologie nutzen zu können muss die Si-SiO2-Doppelschicht mit extremer Dickengenauigkeit und Homogenität hergestellt werden und bis zum Einschluss des Transistors durch das Gate-Oxid erhalten werden. HSEB wird die erforderliche Dicken-Messtechnik erarbeiten. Aufbauend auf einer Vorentwicklung für jeweils eine der beiden Schichten, werden wir nunmehr beide Schichten simultan und mit höherer Genauigkeit vermessen. Dadurch wird unsere Technik sowohl die großflächige Dickenkontrolle als auch die Homogenität der Schichten lateral bis in den einstelligen µm-Bereich bereitstellen. Das Verfahren beruht auf einer simultanen, hochstabilen Reflexionsmessung in zwei ausgewählten Wellenlängenbereichen. Ein Demonstrator, welcher sowohl auf den unstrukturierten Wafern des FDSOI-Waferherstellers als auch auf den strukturierten Wafern des Chip-herstellers arbeiten kann wird im Rahmen des Vorhabens aufgebaut.

Verbund: Energiesparende Sensorik für das autonome Fahren und Fliegen Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Spanien Frankreich Griechenland Polen Portugal Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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