Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -

Ziel des Projektes ist die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen CMOS-Linie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Dresden GmbH wird sich mit neu zu entwickelnden Prozessmodulen für einen planar-Gate GaN-MOSFET beschäftigen. Auf dieser Basis soll es möglich sein, einen Foundry-Prozess zur Fertigung vertikaler GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln. Begleitend wird an der strukturellen und elektrischen Charakterisierung zur Prozesskontrolle gearbeitet und ein inline- sowie PCM- Monitoring Konzept aufgesetzt. Eine Herstellbarkeitsanalyse soll frühzeitig eventuell vorhandene Einschränkungen aufzeigen, die einer die Kommerzialisierung der Technologie entgegenstehen könnten. Die Etablierung der für die Herstellung dieser Leistungstransistoren notwendigen Lieferkette über die gesamte Wertschöpfungskette soll erreicht werden.