Projekte: Frankreich
Hier finden Sie eine Übersicht zu laufenden und abgeschlossenen Vorhaben der Projektförderung des BMBF mit Beteiligung Frankreichs. Aufgeführt werden Vorhaben mit einer Laufzeit bis mindestens zum Jahr 2018. Die Projekte werden in chronologischer Reihenfolge angezeigt (neueste zuerst).
Hinweis: Die Liste enthält sowohl Einzelprojekte, als auch Verbundprojekte, die aus mehreren Teilprojekten bestehen. Die Teilprojekte eines Verbundprojektes sind miteinander verlinkt.
Sie können die Projekte nach Start- und Endjahren und nach Fachbereichen filtern. Eine Mehrfachauswahl von Fachbereichen führt dazu, dass durch die Filter Projekte für alle ausgewählten Fachbereiche angezeigt werden („oder“-Auswahl), sie ist nicht auf Kombinationen beschränkt („und“-Auswahl).
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit di-versen…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel des Projektes ist die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen CMOS-Linie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Dresden GmbH wird sich mit neu zu…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel des Projektes ist die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Membran-Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen Fertigungslinie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Global Service GmbH wird…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Die NanoWired GmbH hat mit dem NanoWirng Prozess mehrere leistungsfähigke Aufbau- und Verbidnungsverfahren entwickelt, das KlettWelding, das KlettGlueing sowie das KlettSintering. Die Leistungsfähigen Verfahren versprechen, das Potential der…
Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren - YESvGaN -
Ziel von YESvGaN ist die Entwicklung hoch effizienter, kostengünstiger vertikaler Leistungstransistoren auf Basis des Wide Band Gap (WBG) Halbleiters Gallium Nitrid (GaN) für Spannungsklassen bis 1200 V und Ströme bis 100 A. In diesem Segment mit…
CoSySpeech – Identifizierung der Folgen cochleärer altersabhängiger Synaptopathien
Erst kürzlich wurde Hörverlust als dritthäufigste Ursache von Demenz identifiziert. Die Verringerung von Hörschäden gilt als eine der wichtigsten Chancen, Demenz vorzubeugen oder deren Zunahme zu verhindern. Erst kürzlich zeigte sich, dass…
DrEYE - Behandlung einer genetisch bedingten Erkrankung, die zu Erblindung führt, mit einem langsam freigesetzten Überlebensfaktor für Zapfenzellen
Der Verlust der Zapfen-Photorezeptorfunktion bei Retinitis pigmentosa (RP) beeinträchtigt das Zentral- und Tageslichtsehen und die Lebensqualität der von dieser Krankheit betroffenen Patienten erheblich. Der Verlust der Zapfen folgt der Degeneration…
Verbundprojekt: Lebensverändernde Behandlung für Osteoarthrose-PatientInnen: Ein Biomarker-basierter Lösungsansatz; Teilprojekt: Entwicklung innovativer Bildgebungsbiomarker für klinische Osteoarthrose-Studien
Osteoarthose ist eine Gelenkserkrankung, die bei vielen Betroffenen durch degenerative Veränderungen der Gelenksstrukturen zu Schmerzen und einer Einschränkung der Alltagsaktivitäten führt. Aktuell sind für die Behandlung der Osteoarthrose keine…
Verbundprojekt: Vertrauenswürdige europäische SiC-Lieferkette für energieeffiziente Leistungselektronik - TRANSFORM -
Das übergeordnete Ziel von TRANSFORM ist der Aufbau einer vollständigen und äußerst wettbewerbsfähigen europäischen Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitern. Der Anwendungsbereich und der Bedarf sind…
