Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: Modellierung von 600/700 GHz SiGeC HBTs und experimentelle Verifikation auf der Bauelemente- und Schaltungsebene

Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Ziel ist die Erforschung der nächsten BiCMOS Technologieplattform. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe HBTs (Heteterojunction Bipolartransistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. In diesem Teilprojekt werden die in den SiGe HBTs auftretenden physikalischen Effekte mithilfe von numerischer Bauelementesimulation (TCAD) und Messungen bis zu 325 GHz untersucht. Die Erkenntnisse werden in ein nichtlineares physikalisches Kompaktmodell umgesetzt. Dessen Implementierung in einem Schaltungssimulator und die Anwendung neuer Methoden zur Modellparameterbestimmung ermöglicht allen Projektpartnern den Entwurf von integrierten mm-Wellenschaltungen. Zur Modellverifikation und kostengünstigen On-Wafer Messung oberhalb von 220 GHz werden Schaltungen entworfen.