Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: Integrierter Gatetreiber mit innovativer Technologie und Isolation

Das Vorhaben Power2Power gliedert sich in verschiedene Arbeitspakete mit unterschiedlicher Ausrichtung. Zum einen werden neue IGBT-Designs und -Technologien für Temperaturen bis 200°C auf 300mm Wafern entwickelt und für die Volumenproduktion vorbereitet. Weiterhin werden Aufbau- und Verbindungstechnologien für verbesserte Leistungsmodule entwickelt. Dabei wird hoher Fokus auf die Effizienz von Fertigungsprozessen und Lieferketten gelegt. Schwerpunkt der Anwendungen sind Maschinen und Anlagen, die Mobilität (automobile Applikationen) und Netzanwendungen. Weiterer Schwerpunkt ist die Erfassung und Verbesserung der Zuverlässigkeit und Robustheit der Leistungsbauelemente und -systeme sowie deren Ansteuerung und Überwachung. Das konkrete Arbeitspaket "Integrierter Gatetreiber mit innovativer Technologie und Isolation" des Antragstellers umfasst die Technologieentwicklung und das IC-Design von integrierten Gatetreibern mit galvanischer Isolation für die Ansteuerung von IGBT´s der nächsten Generation sowie anderer Leistungsbauelemente (SiC-MOSFET etc.) für den Spannungsbereich bis 1,7kV. Ziele sind höhere Schaltgeschwindigkeiten, erhöhte Zuverlässigkeit und Robustheit, ein höherer Betriebstemperaturbereich sowie die Reduzierung von Verlusten und des Volumens der leistungselektronischen Systeme.