Verbundprojekt: Silizium-Leistungselektronik der nächsten Generation für Mobilität, Industrie und Stromnetze der CO2-freien Ära - Power2Power -; Teilvorhaben: 300 mm IGBT-Siliziumwafer und zugehörige Verpackungsautomatisierung

Aufgrund des weltweit steigenden Energiebedarfs ist eine zunehmende Nutzung erneuerbarer Energien erforderlich um Kohlendioxidemissionen zu verringern. Für die Energieumwandlung werden effiziente Leistungshalbleiter benötigt, weshalb die Märkte für IGBTs und Module jährlich um rund 15% wachsen. Die wettbewerbsfähigsten IGBTs basieren auf 300mm-Siliziumwafern: >1700 Volt, höhere Leistungsdichte, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz für Mobilität, Industrie und Netze sowie neueste Erkenntnisse in Industrie4.0 werden in Power2Power zusammengeführt. Dies wird die Wettbewerbsfähigkeit speziell in Deutschland entlang der gesamten Wertschöpfungskette der Leistungselektronik stärken und ausbauen: von speziellen Silizium-Wafern (Siltronic) und Doping-Systemen (mi2), über IGBT-Fertigung bei Infineon Dresden und nachfolgender Modulfertigung bei Infineon Warstein mit FhG-IMWS und den Universitäten Paderborn und Rostock, bis hin zu Systemen (KMUs EAAT, AVL, TU Dresden). Flankierend hierzu sind Arbeiten zu (a) Treibertechnologien (X-FAB, TU Ilmenau), (b) Zuverlässigkeit (FhG-ENAS, SGS, TU Chemnitz, Universität Bremen) und (c) Industrie 4.0 (KMU Hesse, Hochschule Zittau-Görlitz, TU Dresden) vorgesehen. Power2Power ist ausgerichtet auf das "Rahmenprogramm Mikroelektronik" der Bundesregierung und etabliert Pilotlinien für innovative, zukunftsfähige Leistungshalbleiterlösungen an deutschen Standorten und schafft somit neue, hoch qualifizierte Arbeitsplätze. Im Rahmen des ECSEL-Vorhabens Power2Power wird Siltronic AG 300 mm Siliziumsubstrate für die beschriebene IGBT Technologie entwickeln. Die wirtschaftliche Herstellung dieser Kristalle ist dabei eine große Herausforderung. Ein zweiter Schwerpunkt bildet die Entwicklung eines Prototypen für die Verpackungsautomatisierung von Wafern. Die globale Vermarktung der 300 mm Siliziumsubstrate für Leistungshalbleiter kann forciert und ausgeweitet werden mit dem Ziel, die erreichte Spitzenposition zu halten und sogar weiter auszubauen.