Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -

Ziel des Move2THz Projekts ist die Etablierung eines Ökosystems für InP-Chiptechnologien, die 200mm – 300mm Substrate nutzt. Hier sollen neben nativen InP-Substraten mit größerem Durchmesser (150mm – 200mm) besonders innovative InP-auf-Silizium (InPoSi) Substrate zum Einsatz kommen, um die Substratkosten und den Ressourcenverbrauch von besonders Indium um einen signifikanten Faktor zu reduzieren. Die Substratgrößen 200mm und 300mm ermöglichen die Nutzung von Hochvolumen-Fabs für elektronische und photonische Chips, die in Europa vorhanden sind. Das Move2THz-Konsortium bildet die komplette Technologiekette ab. Die gesamte Kette der InP-Chipherstellung muss als "enabling technology" angesehen werden, da für Anwendungen in der Radar- und Kommunikationstechnik besonders bei über 100 GHz keine alternativen Technologien zurzeit verfügbar oder absehbar verfügbar sind. In Europa bestehen viele Anwender- und System-Integrationsindustrien, die auf diese Chiptechnologie in Zukunft werden zugreifen müssen. Die Bereitstellung einer geschlossenen europäischen Technologiekette mit starken nationalen Beiträgen zu kritischen Anlagen und Know-how zur Materialsynthese (Epitaxie) ist daher im Rahmen des European Chips Act und der strategisch zukunftsbedeutend, da durch geopolitische Umstände die InP-Chiptechnologie nur eingeschränkt von weltweiten Quellen z.B. in USA und China bezogen werden kann. Das Teilvorhaben der Microwave Photonics GmbH (MWP) ist im Kontext des "European Green Deal" und des enthaltenen "Circular Economy Action Plan" zu sehen. Beiträge zur Klimaneutralität werden auch durch das Teilvorhaben der MWP geleistet. Im Vordergrund stehen Energieeinsparungen durch die Transformation elektronischer Konnektivität durch verlustarme optische Konnektivität. Auch eine Reduzierung des Quellmaterials wird im Teilvorhaben der MWP adressiert, und zwar durch Einsatz von hochperformanten und funktionalen photonischen ICs basierend auf InP-on-Si (InPoSi) Wafern.