Verbundprojekt: Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz - GaN4AP -

Die Sempa Systems GmbH ist eingebunden in Cluster 2 des europäischen Projektes, welches sich mit der Entwicklung lateraler Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT’s) für Hochleistungselektronik beschäftigt. In diesem Cluster geht es um die Entwicklung von HEMT’s basierend auf einem neuartigen Materialsystem, welches auf Aluminiumscandiumnitrid (AlScN) basiert. Der Einbau von Scandium führt zu größeren piezoelektrischen Feldern, welche die Leistung der Transistoren verbessern soll. Diese neuartige Klasse von Transistoren versprechen ein großes Potential. Seitens SEMPA SYSTEMS geht es zum einen um die Entwicklung produktionstauglicher MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxie) Abscheideprozesse, zum anderen um die Entwicklung effizienter Verdampfungsprozesse für die neuartigen Scandium Precursoren, welche von der Dockweiler Chemicals GmbH entwickelt werden.