Um die notwendige Leistungsfähigkeit in der Signal- und Informationsverarbeitung zu sichern, müssen neue Technologien Eingang in den sicherheitskritischen Bereich, wie Verkehrstechnik, Produktionstechnik, Umweltüberwachung und Medizintechnik, finden. Bei einer einfachen Skalierung auf Halbleitertechnologien im Bereich kleiner 10nm würde jedoch die Anfälligkeit der Bauelemente inakzeptabel erhöht werden. RESIST steuert dieser Anfälligkeit entgegen durch: - Verbesserung der Zuverlässigkeit durch exakte Analyse des Verhaltens von der Schaltung bis zum System bereits im Entwurf, - Nutzung der durch die neuen Technologien gegebenen Möglichkeiten zur Gestaltung von gegen Umwelteinflüssen robusten Architekturen für elektronische Systemen, - Realisierung von präzisen Überwachungseinrichtungen, die nicht nur den Ausfall registrieren, sondern eine Vorhersage zur Lebensdauer der Einzelkomponenten machen können. Der Beitrag der TUM besteht aus zwei Teilen, einer bezieht sich auf die Entwurfsphase, der andere auf den Betrieb eines ICs. Während der Entwurfsphase wird eine verbesserte Verifikation von AMS-Komponenten unter Berücksichtigung der Einbettung in eine digitale Systemumgebung angestrebt. Hier werden schnelle Analyseverfahren zur Detektion von alterungskritischen asymmetrischen Zuständen in verschiedenen Betriebszuständen entwickelt. Während des Betriebs werden verbesserte Alterungsmonitore und Techniken zum eingebauten Selbsttest angestrebt.
Verbundprojekt: RESilient Integrated SysTemsWork areas - RESIST -; Teilvorhaben: Symmetrieverifikation und Laufzeitmonitore für Analog-/Mixed-Signal-Komponenten
Laufzeit:
01.01.2015
- 28.02.2018
Förderkennzeichen: 16ES0307
Koordinator: Technische Universität München - Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik - Lehrstuhl für Entwurfsautomatisierung
Verbund:
RESilient Integrated SysTemsWork areas
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Frankreich
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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