Die RWTH Aachen wird im EU-Verbundprojekt TAPES3 zur Entwicklung der Maskeninfrastruktur für zukünftige lithographische Technologien beitragen. Die Unterstützung der Partnerunternehmen mit dem Know-how bei der Entwicklung von Maskeninspektionswerkzeugen (optisches Design, Effizienz- und Durchsatzoptimierung) sowie der Zugang zu fortgeschrittenen Charakterisierungstechniken (atomar aufgelöstes REM, spektroskopische EUV Reflektometrie) und Analysealgorithmen (Brechungsindexextraktion aus Reflektivitätsmessungen, Stöchiometrieanalyse) wird einerseits die Wettbewerbsfähigkeit erheblich verbessern und das Innovationspotenzial der beteiligten Industrie erhöhen. Andererseits erhält die RWTH die Möglichkeit, Forschungs- und Bildungsinteressen mit den zukünftigen Bedürfnissen der Branche abzugleichen, die über den Stand der Technik hinausgehen. Im Rahmen des Vorhabens werden die bereits verfügbaren aktinischen Metrologie-Tools und die entsprechenden Analysealgorithmen weiter entwickelt. Die Messverfahren werden es ermöglichen, die Stöchiometrie, Qualität und Langzeitstabilität von neuartigen Materialien der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung zu bestimmen.
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung
Laufzeit:
01.10.2018
- 31.01.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0292
Koordinator: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen - Fakultät 4 - Maschinenwesen - Lasertechnik - Lehrstuhl für Technologie Optischer Systeme
Verbund:
Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Frankreich
Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
Israel
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV Projektionsobjektiv für die 3nm Auflösung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV-Prüfoptiken und Masken für die 3nm Auflösung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Evaluierung und Optimierung neuer Materialien, die als Absorberschicht auf den EUV-Masken zum Einsatz kommen
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Referenzmetrologie für EUV Photomasken
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: 3nm SiGe Substrat Wafer
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Reinigungsprozesse und Infrastruktur für EUV Photomasken mit alternativen Absorbern
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Untersuchungen zur Masken-Infrastruktur für die nächste Generation der EUV Technologie
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics