Das Projekt TAPES3 soll in Kooperation führender europäischer Firmen und Institutionen die Grundlagen für Fertigungstechnologien für den 3-nm-Knoten der Halbleiter-fertigung entwickeln. Die hierzu erforderliche Auflösung kann nur mit einer anamorphen EUV Belichtungsoptik mit einer NA von 0.55 und mit neuen Maskentechnologien erfolgen. Fraunhofer IISB wird mit seinen Simulationsarbeiten die Abbildungseigenschaften der neuen Belichtungsoptiken und deren optimales Zusammenspiel mit neuen Maskengeometrien und –materialien sowie zugehöriger Reparaturprozesse erforschen und im Hinblick auf praktische Anwendungen untersuchen.
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien
Laufzeit:
01.10.2018
- 31.01.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0288
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)
Verbund:
Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Frankreich
Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
Israel
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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