StartseiteLänderAsienIsraelVerbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien

Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien

Laufzeit: 01.10.2018 - 31.01.2022 Förderkennzeichen: 16ESE0288
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)

Das Projekt TAPES3 soll in Kooperation führender europäischer Firmen und Institutionen die Grundlagen für Fertigungstechnologien für den 3-nm-Knoten der Halbleiter-fertigung entwickeln. Die hierzu erforderliche Auflösung kann nur mit einer anamorphen EUV Belichtungsoptik mit einer NA von 0.55 und mit neuen Maskentechnologien erfolgen. Fraunhofer IISB wird mit seinen Simulationsarbeiten die Abbildungseigenschaften der neuen Belichtungsoptiken und deren optimales Zusammenspiel mit neuen Maskengeometrien und –materialien sowie zugehöriger Reparaturprozesse erforschen und im Hinblick auf praktische Anwendungen untersuchen.

Verbund: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Schweiz Frankreich Vereinigtes Königreich (Großbritannien) Israel Niederlande Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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