Verbundprojekt: Neuartige Datenspeicherchips für leistungsstarke Automobilelektronik - WAKeMeUP -; Teilvorhaben: Integration von ferroelektrischen Schichten in das BEoL für NVSRAM (INES)

Das Fraunhofer IPMS wird sich im Projekt an der Entwicklung der nächsten Generation von Bauteilen im Automotive Markt beteiligen. Durch die Integration von zusätzlichen funktionalen Modulen in der Ebene des Back-End-of-Line (BEoL) von Chips wird Fraunhofer die zukünftige Entwicklung der europäischen und insbesondere deutschen Mikroelektronik stärken. Das Ziel dieses Projekts sind neuartige Speicherbauelemente, welche ferroelektrisches Hafniumoxid (HfO2) enthalten im Interconnect bzw. BEoL Level einer der führenden europäischen 200mm Foundry XFAB. Dies benötigt die Expertise von Fraunhofer IPMS in vielen Feldern wie Tieftemperaturabscheidung, hochentwickelter Speicherbauelemente, Kontaktstrukturierung, Verkapslung und Kontaminationsmanagement hinsichtlich der Einbringung von neuen Materialien in die Aluminiumbasierte BEoL Umgebung. Die Fähigkeiten, welche Fraunhofer IPMS in diesem Projekt demonstrieren möchte, reichen jedoch weit über Speicherbauelemententwicklung hinaus, da die Einbringung und Strukturierung neuartiger Metalle und Isolatoren in einer gut eingeführten aber auch hoch sensiblen BEoL Umgebung von großer Bedeutung für neuartige Kondensatorlösungen, SoC integrierte Sensorelemente, Energieharvester oder Batterien ist.