Das Projekt SAM3 hat das Ziel, die in Deutschland existierende Kompetenz in Fehlerlokalisierung, Präparation, physikalischer Analyse sowie Mikrosystemcharakterisierung durch enge Zusammenarbeit von Halbleiter- und Systemherstellern zusammenzubringen und diese langfristig auf weltweitem Spitzenniveau zu etablieren. Die technische Zielsetzung des Projektvorschlages besteht darin, für die Qualitätssicherung und Fehlerdiagnostik von More-than-Moore (MtM), 3D IC- und System-in-Package (SiP)-Integrationstechnologien dringend benötigte Analysetechniken und -methoden durch Zusammenarbeit von Geräteherstellern und Anwendern zu erforschen und zu entwickeln. Durch anwendungsnahe Forschung sollen dadurch miniaturisierte Systeme schneller entwickelt, sowie zuverlässiger und qualitativ besser gemacht werden. Die neuen Methoden sollen bei Infineon in aufeinander abgestimmte "Workflows" der entwicklungs- und fertigungsbegleitenden Fehlerdiagnostik integriert werden. Die fünf Hauptarbeitspakete AP0 bis AP4 entsprechen der üblichen Vorgehensweise bei der Fehlerlokalisierung, -identifikation und -analyse. Im Arbeitspaket AP0 werden Qualitätsanforderungen herausgearbeitet sowie Anforderungen und Spezifikationen für benötigte Fehleranalyse-Techniken ermittelt. Im zweiten Arbeitspaket AP1 werden neue Methoden der zerstörungsfreien Fehlerlokalisation und Identifikation für SiP-Anwendungen erforscht und entwickelt. Im Fokus des dritten Arbeitspaketes AP2 stehen neue innovative Ansätze für Zielpräparationsverfahren, um einen effizienten und artefaktfreien Zugang zu lokalisierten Defektbereichen zu ermöglichen. Im Arbeitspaket AP3 werden neue Methoden zur Charakterisierung der Dotierung und zur Fehler- und Eigenspannungsanalyse erforscht und anhand von Testaufbauten erprobt. Im Arbeitspaket AP4 werden die erarbeiteten Verfahren, die neuen Diagnostik-Tools und -methoden umfassend getestet, in geeigneten Workflows kombiniert und für Zuverlässigkeitsbewertungen in SiP-Aufbauten eingesetzt.
Verbundprojekt: Innovative Fehleranalytik für hochintegrierte Elektroniksysteme - SAM3 -; Teilvorhaben: Innovative Methoden zur Charakterisierung und Fehleranalyse künftiger 3D- System-in-Package Elektroniksysteme
Laufzeit:
01.10.2015
- 31.12.2018
Förderkennzeichen: 16ES0339K
Koordinator: Infineon Technologies AG
Verbund:
Innovative Fehleranalytik für hochintegrierte Elektroniksysteme
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Frankreich
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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