Verbundprojekt: Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -

Die Unterstützung von InP / InPoSi Transistoren (HBTs und HEMTs) für Designgruppen durch Simulationsbibliotheken mit einer genauen Darstellung des elektrischen und thermischen Verhaltens dieser Bauelemente ist derzeit sehr begrenzt. Es besteht ein großer Bedarf an Technologien und Anwendungen: • Kommerziell und industriell verfügbare Simulationsmodelle, die das elektrische und thermische Verhalten von InP- und InPoSi-Bauelementen darstellen. • Standardisierte Formulierung der Modelle, um sie in verschiedenen Umgebungen verwenden zu können. • Integration von InP-Simulationskomponenten für HBTs und HEMTs in die sehr fortschrittlichen Process Design Kits (PDK) für moderne CMOS-Prozesse. • Erweiterung der reinen Simulationsmodelle, um alle Aspekte moderner PDKs wie Variabilität und layoutabhängige Effekte (LDE) abzudecken.