Das Ziel von TAPES3 ist das Erkennen, Entwickeln und Demonstrieren der notwendigen Lithographie -, Metrologie -, EUV Masken – Verfahren sowie Bauelemente und zugehörige Prozess Module für den zukünftigen 3nm Technologieknoten. Siltronic unterstützt dabei die Aktivitäten bzgl. neuartiger 3nm fähiger Bauelemente und fokussiert sich auf die Entwicklung und Bereitstellung innovativer Substratmaterialien (Wafer) für diese Bauelemente. Es handelt sich dabei um heteroepitaktisch abgeschiedene SiGe Schichten auf einem Siliziumwafer, die eine erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit im leitenden Transistorkanal ermöglichen. Eine große Herausforderung ist dabei das Erreichen einer niedrigen Defektdichte, insbesondere eine niedrige Dichte von Fadenversetzungen. Die Wafer werden vom Partner IMEC in verschiedenen Bauelementarchitekturen (FinFET, horizontale Nanowire) getestet.
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: 3nm SiGe Substrat Wafer
Laufzeit:
01.10.2018
- 31.01.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0293
Koordinator: Siltronic AG
Verbund:
Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Frankreich
Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
Israel
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV Projektionsobjektiv für die 3nm Auflösung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV-Prüfoptiken und Masken für die 3nm Auflösung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Evaluierung und Optimierung neuer Materialien, die als Absorberschicht auf den EUV-Masken zum Einsatz kommen
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Referenzmetrologie für EUV Photomasken
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Reinigungsprozesse und Infrastruktur für EUV Photomasken mit alternativen Absorbern
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Untersuchungen zur Masken-Infrastruktur für die nächste Generation der EUV Technologie
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics