StartseiteLänderEuropaVereinigtes Königreich (Großbritannien)Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung

Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung

Laufzeit: 01.10.2018 - 31.01.2022 Förderkennzeichen: 16ESE0292
Koordinator: Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen - Fakultät 4 - Maschinenwesen - Lasertechnik - Lehrstuhl für Technologie Optischer Systeme

Die RWTH Aachen wird im EU-Verbundprojekt TAPES3 zur Entwicklung der Maskeninfrastruktur für zukünftige lithographische Technologien beitragen. Die Unterstützung der Partnerunternehmen mit dem Know-how bei der Entwicklung von Maskeninspektionswerkzeugen (optisches Design, Effizienz- und Durchsatzoptimierung) sowie der Zugang zu fortgeschrittenen Charakterisierungstechniken (atomar aufgelöstes REM, spektroskopische EUV Reflektometrie) und Analysealgorithmen (Brechungsindexextraktion aus Reflektivitätsmessungen, Stöchiometrieanalyse) wird einerseits die Wettbewerbsfähigkeit erheblich verbessern und das Innovationspotenzial der beteiligten Industrie erhöhen. Andererseits erhält die RWTH die Möglichkeit, Forschungs- und Bildungsinteressen mit den zukünftigen Bedürfnissen der Branche abzugleichen, die über den Stand der Technik hinausgehen. Im Rahmen des Vorhabens werden die bereits verfügbaren aktinischen Metrologie-Tools und die entsprechenden Analysealgorithmen weiter entwickelt. Die Messverfahren werden es ermöglichen, die Stöchiometrie, Qualität und Langzeitstabilität von neuartigen Materialien der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung zu bestimmen.

Verbund: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Schweiz Frankreich Vereinigtes Königreich (Großbritannien) Israel Niederlande Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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