Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe-HBTs (Heterojunction-Bipolar-Transistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. Ziel des Vorhabens ist für Infineon Technologies Dresden GmbH die erfolgreiche Erforschung und Erarbeitung einer BiCMOS-Wafertechnologie der nächsten Generation, auf Basis von Silizium/Germanium(SiGe)-Technologien, um für zukünftige Anforderungen der neuen und schnell wachsenden Märkte im Automotive-Bereich (wie z. B. autonomes Fahren; sicherheitstechnische Applikationen durch Radartechnologien) bestmöglich aufgestellt zu sein.
Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: Zukünftige BiCMOS Nano-Technologieplattform für RF- und THz-Anwendungen
Laufzeit:
01.04.2017
- 30.11.2020
Förderkennzeichen: 16ESE0202S
Koordinator: Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG
Verbund:
Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Frankreich
Griechenland
Italien
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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