Das Vorliegende Teilprojekt soll im Rahmen im Rahmen einer produktionstauglichen EUV-Lithographielösung für den 7nm-Knoten mehrere Teilaspekte beitragen: Die Kompensation von Topographiedefekten im Multilayer-Spiegel von EUV Masken. Die Einbindung dieses Reparaturansatzes in ein Gesamtkonzept zur Bereitstellung defektfreier EUV Masken. Machbarkeitsstudien Reparatur auf Absorber-Defekten mit Hilfe von elektronenstrahl-induzierten Prozessen auf Demonstratormasken für kommende Technologieknoten. Phase 1: Reparatur von Multilayer-Defekten in EUV Masken für den 7nm-Knoten (Optimierung von Prozessparametern, Evaluierung von Reparaturergebnissen). Phase 2: Reparatur der Restmenge von Multilayer-Defekten komplementär zu den Arbeiten von Konsortiums-Partnern (Abstimmung, Prozessstabilität, Evaluierung). Phase 3: Machbarkeitstest zur Reparierbarkeit alternativer EUV Maskentechnologien (Grundlagentests von Präkursoren, Prozessstabilität).
Verbundprojekt: Seven Nanometer Technology - SeNaTe -; Teilvorhaben: Reparatur und lokale Behebung von Defekten auf EUV Masken durch strahleninduzierte Oberflächenprozesse
Laufzeit:
01.04.2015
- 31.03.2018
Förderkennzeichen: 16ESE0051
Koordinator: Carl Zeiss SMT GmbH - SMS-ER
Verbund:
Seven Nanometer Technology
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Tschechische Republik
Frankreich
Ungarn
Israel
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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