Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: SiGe-HBT-Technologie für THz-Anwendungen

Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Ziel ist die Erforschung der nächsten BiCMOS Technologieplattform. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe HBTs (Heteterojunction Bipolar Transistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. Die Forschungsarbeiten des IHPs zielen auf die Entwicklung von SiGe HBTs mit Grenzfrequenzen Fmax von 600 bis 700 GHz, die unter Bedingungen industrieller BiCMOS-Prozesse gefertigt werden können. Darüber hinaus arbeitet das IHP an verbesserten Methoden für die Charakterisierung der Hochfrequenzeigenschaften von Transistorgen und an Schaltungen für zukünftige Kommunikations-Systeme der 5. Generation.