Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: Zukünftige BiCMOS Nano-Technologieplattform für RF- und THz-Anwendungen

Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe-HBTs (Heterojunction-Bipolar-Transistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. Ziel des Vorhabens ist für Infineon Technologies Dresden GmbH die erfolgreiche Erforschung und Erarbeitung einer BiCMOS-Wafertechnologie der nächsten Generation, auf Basis von Silizium/Germanium(SiGe)-Technologien, um für zukünftige Anforderungen der neuen und schnell wachsenden Märkte im Automotive-Bereich (wie z. B. autonomes Fahren; sicherheitstechnische Applikationen durch Radartechnologien) bestmöglich aufgestellt zu sein.