Verbundprojekt: Elektroniksysteme für Radar- und Kommunikationslösungen der nächsten Generation - TARANTO-; Teilvorhaben: Forschung an der nächsten SiGe BiCMOS Technologieplattform

Die im Verbundvorhaben zu erforschenden Halbleitertechnologien ermöglichen eine weitere deutliche Leistungssteigerung heutiger Radarsensor- und Kommunikationssysteme. Ziel ist die Erforschung der nächsten BiCMOS Technologieplattform. Dazu sollen die Hochfrequenzeigenschaften von SiGe HBTs (Heteterojunction Bipolar Transistoren) signifikant verbessert werden und in Kombination mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess ein höherer Integrationsgrad auf Systemebene als bisher ermöglicht werden. Infineon wird im Projekt Taranto an der nächsten SiGe BiCMOS Technologiegeneration forschen. Zusammen mit IHP wird Infineon an der Erforschung neuer SiGe HBT-Konzepte für höchste Grenzfrequenzen und mit den Industriepartnern Micram und Nokia an Schaltungen für Anwendungen in der 5G Mobilkommunikation arbeiten.