Verbundprojekt: Intelligente Zuverlässigkeit von Elektroniksystemen - iRel40 -; Teilvorhaben: Hochtemperatur Zuverlässigkeit 4.0 von SiC CMOS

Das Fraunhofer IISB betreibt eine Halbleiterfertigungslinie zu Herstellung leistungselektronischer Bauelemente unter anderem auch für SiC-Bauelemente. Das Halbleitermaterial SiC ist bestens für den Einsatz bei Temperaturen bis 500 °C geeignet. Mittlerweile gibt es Halbleiter-Sensoren, die bei solch hohen Temperaturen verlässlich arbeiten, aber deren elektrische Signale sehr schwach sind, sodass bei der Übertragung der Signale vom Ort der Signalaufnahme bis zur Stelle der Signalverarbeitung, die Signalsicherheit nicht mehr gewährleistet ist. Daher ist eine Signalvorverstärkung direkt am Ort der Signalaufnahme notwendig. Das Fraunhofer IISB designed und stellt in mehreren Runs SiC Verstärkerschaltungen her, die bis zu Temperaturen von 500 °C arbeiten und damit geeignet sind, schwache Signale in der Sensoranwendung bei hohen Temperaturen zu verstärken. Diese Verstärkerschaltungen werden eingehenden Zuverlässigkeitstest unterzogen und anschließend zur TU Delft gesendet, um die Schaltung in deren Sensor zu integrieren. Parallel dazu werden Zuverlässigkeitstests und -modelle für solch hohe Temperaturen entwickelt..