Die Beteiligung der Fraunhofer Gesellschaft am TAPES3-Projekt soll vor allem die weltweit führende Position deutscher Industrieunternehmen im Bereich von Geräten für die Halbleiterfertigung stärken und ausbauen. Die Fraunhofer Institute IISB und IWS werden mit ihren Arbeiten zur Modellierung hochauflösender EUV-Optiken bzw. zur Entwicklung verbesserter Politur- und Beschichtungsverfahren die Firma Zeiss SMT bei der Entwicklung von EUV-Projektionsoptiken unterstützen.
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics
Laufzeit:
01.10.2018
- 31.01.2022
Förderkennzeichen: 16ESE0333S
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik (IWS)
Verbund:
Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Frankreich
Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
Israel
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
Weitere Teilprojekte des Verbundes
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV Projektionsobjektiv für die 3nm Auflösung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Simulation anamorpher Abbildungsoptiken und zugehöriger Maskentechnologien
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: EUV-Prüfoptiken und Masken für die 3nm Auflösung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Evaluierung und Optimierung neuer Materialien, die als Absorberschicht auf den EUV-Masken zum Einsatz kommen
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Referenzmetrologie für EUV Photomasken
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Entwicklung neuartiger Messverfahren und zugehöriger Technologien für den Aufbau einer effizienten Maskeninfrastruktur der zukünftigen 3-nm-Halbleiterherstellung
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: 3nm SiGe Substrat Wafer
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Reinigungsprozesse und Infrastruktur für EUV Photomasken mit alternativen Absorbern
- Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Untersuchungen zur Masken-Infrastruktur für die nächste Generation der EUV Technologie