Ziel der AMTC Arbeiten ist es, grundlegende Untersuchungen zur Maskeninfrastruktur hinsichtlich der Anforderungen für den N3 Technologieknoten durchzuführen. Der Schwerpunkt liegt dabei basierend auf aktuellen Entwicklungsarbeiten Anforderungsprofile und Spezifikationen für die anamorphische Lithographie zu definieren. Hierbei handelt es sich Untersuchungen zur Maskenprozesskorrektur und dem Datenhandling, Maskendegradationseffekte unter Eintrag hochdosierter EUV Strahlung, sowie Ansätze zur Mitigation von Multilayer-Defekten im Masken Grundmaterial (Blank) durch eine dedizierte Platzierung des Designs und ggf. nachträglicher Reparatur betroffener Stellen. Aus der Sicht eines Maskenherstellers sollen im Verbundprojekt identifizierte neuartige Masken-Materialien bewertet werden. Zu Projektende soll eine anamorphische Demonstrator-Maske hergestellt werden und durch die Projekt-Partner belichtet werden. Das Projekt ermöglicht dem AMTC einen frühzeitigen Zugang zu grundlegenden Anforderungen der N3 Technologie und legt den Grundstein für die zukünftige Maskenprozess-Entwicklung.
Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Untersuchungen zur Masken-Infrastruktur für die nächste Generation der EUV Technologie
Laufzeit:
01.10.2018
- 30.09.2021
Förderkennzeichen: 16ESE0295S
Koordinator: Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG
Verbund:
Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik
Quelle:
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)
Redaktion:
DLR Projektträger
Länder / Organisationen:
Österreich
Belgien
Schweiz
Frankreich
Vereinigtes Königreich (Großbritannien)
Israel
Niederlande
Themen:
Förderung
Information u. Kommunikation
Weitere Informationen
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