StartseiteLänderEuropaFrankreichVerbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics

Verbundprojekt: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik - TAPES3 -; Teilvorhaben: Mirror substrate EUV ML coating process for 3nm resolution optics

Laufzeit: 01.10.2018 - 31.01.2022 Förderkennzeichen: 16ESE0333S
Koordinator: Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik (IWS)

Die Beteiligung der Fraunhofer Gesellschaft am TAPES3-Projekt soll vor allem die weltweit führende Position deutscher Industrieunternehmen im Bereich von Geräten für die Halbleiterfertigung stärken und ausbauen. Die Fraunhofer Institute IISB und IWS werden mit ihren Arbeiten zur Modellierung hochauflösender EUV-Optiken bzw. zur Entwicklung verbesserter Politur- und Beschichtungsverfahren die Firma Zeiss SMT bei der Entwicklung von EUV-Projektionsoptiken unterstützen.

Verbund: Technologien für die nächste Generation höchstintegrierter Mikroelektronik Quelle: Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) Redaktion: DLR Projektträger Länder / Organisationen: Österreich Belgien Schweiz Frankreich Vereinigtes Königreich (Großbritannien) Israel Niederlande Themen: Förderung Information u. Kommunikation

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